ITCOW牛新网 11月24日消息,在昨日开幕的第22届中国国际半导体博览会(IC China)上,长鑫存储以“双芯共振,5力全开”为主题,首次全面展示其DDR5与LPDDR5X两大产品线的最新研发成果。其中DDR5产品实现技术突破,最高速率达到8000 MT/s,单颗颗粒容量最高为24Gb。

长鑫存储-第22届中国国际半导体博览会(IC China)

据ITCOW牛新网了解,长鑫存储本次推出了七种DDR5模组类型,包括UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM及TFF MRDIMM,全面覆盖服务器、工作站和个人电脑等应用场景。同时展出的LPDDR5X产品面向移动端旗舰市场,最高速率达10667 MT/s,提供12GB至32GB多种容量规格。

此次产品发布标志着长鑫存储在高端存储芯片领域取得重要进展。通过DDR与LPDDR双线技术突破,长鑫存储将进一步丰富全球存储芯片供应链,为下游客户提供多元化选择。