ITCOW牛新网 12月16日消息，英特尔代工与ASML公司近日联合宣布，已完成全球首台第二代高数值孔径极紫外光刻机TWINSCAN EXE:5200B的验收测试。这一进展标志着半导体制造技术正式迈向量产2纳米及更先进工艺的新阶段。
相较于主要用于研发的第一代EXE:5000机型，此次验收的EXE:5200B光刻机在量产能力上实现显著提升。该设备搭载了更高功率的EUV光源，晶圆处理速度达到每小时175片，套刻精度提升至0.7纳米。通过创新的晶圆存储结构设计，设备运行的稳定性也得到进一步优化。
据ITCOW牛新网了解，此次验收测试的成功意味着英特尔在先进制程竞赛中获得关键优势。High NA EUV技术通过增大光学系统的数值孔径，实现了更高的分辨率和更精细的电路图案刻画能力，为突破2纳米以下工艺瓶颈提供了技术保障。
在近期举行的2025年IEEE国际电子器件会议上，英特尔还展示了与比利时微电子研究中心合作研发的2DFET材料氧化物帽层选择性刻蚀技术，以及基于12英寸试生产线的晶体管制造成果。这些进展与High NA EUV光刻技术形成协同效应，共同推动半导体产业向更先进的制程节点发展。