ITCOW牛新网 6月2日消息，国内半导体设备企业北方华创今日发布了全新的12英寸气体团簇离子束（GCIB）刻蚀设备——Acme Glaion130。这一产品的问世，标志着我国在高端芯片制造装备领域取得了新的突破，成功攻克了业内长期存在的技术难题，为先进逻辑芯片、存储芯片以及前沿的光电子器件制造提供了强有力的国产化解决方案。
据ITCOW牛新网了解，随着芯片制程工艺不断向物理极限逼近，传统化学机械抛光和等离子刻蚀技术在原子级精度控制和表面损伤抑制方面已显疲态。北方华创此次推出的Acme Glaion130设备另辟蹊径，通过气体团簇离子源技术，将离子加速并中和后直接轰击晶圆表面，依靠物理溅射实现材料去除。这种工艺不仅实现了纳米级的加工精度，更做到了近零损伤，且几乎适配所有材料，能够满足晶圆局部定点精修和任意角度刻蚀等复杂工艺需求。
在具体技术攻坚层面，该设备成功突破了三大核心瓶颈。首先是优化了气体团簇离子源，相比常规单体离子源，其刻蚀速率更快且工艺损伤更低，稳定性和束流质量均达到行业领先水平；其次是解决了高速运动下的电极技术难题，确保晶圆在快速移动中仍能实现精准定位；最后是通过动态精确控制算法，结合原位膜厚量测装置，实时生成刻蚀图谱并优化运动轨迹，从而实现高精度的局部定点加工。
这款设备在应用场景上展现了极强的兼容性。在先进逻辑与存储芯片制造中，它能通过高选择比刻蚀降低线条侧壁粗糙度，消除桥连缺陷，从而显著提升器件良率并降低光罩成本；在先进封装领域，它助力提升晶圆键合质量；而在硅光芯片制造中，它能打造原子级光滑表面，大幅降低光散射损耗。此外，该设备还支持灵活调节离子束入射角度，这对于提升AR/VR设备中衍射光栅的刻蚀均一性具有重要意义。北方华创方面表示，Acme Glaion130实测性能优异，综合性能已达到同类型设备的领先水平。