ITCOW牛新网 9月8日消息，ASML在SPIE大会前夕公布与头部芯片制造企业的合作规划，行业将共同推动High NA EUV光刻系统，由传统6英寸掩膜向12英寸掩膜过渡，以此提升设备生产效率、降低制造成本，解决现有技术存在的半场拼接难题。
根据合作披露的时间表，三星电子计划2028年把High NA EUV设备用于先进DRAM内存的大规模量产；台积电则规划在2031年将这套设备导入先进逻辑制程的量产环节。整个产业会在2031年之前建成12英寸掩膜试点产线，为2033年12英寸掩膜在High NA EUV先进制程当中正式投产做好配套准备。